RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 28
    周辺 -65% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 17
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 22.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1578 left arrow 3704

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB RAMの比較

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
メモリRAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
メモリRAM