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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
比較する
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
総合得点
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
総合得点
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
39
周辺 15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
13.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.2
9.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
39
読み出し速度、GB/s
14.3
13.9
書き込み速度、GB/秒
9.1
9.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2667
2448
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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