EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB

Puntuación global
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 39
    En 15% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.3 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.3 left arrow 13.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 9.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2667 left arrow 2448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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