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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
77
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
4.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
77
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
5.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
4.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1096
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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