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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
77
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
5.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.9
4.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
77
读取速度,GB/s
9.3
5.7
写入速度,GB/s
5.9
4.4
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
1096
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB RAM的比较
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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