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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
33
39
读取速度,GB/s
14.3
13.9
写入速度,GB/s
9.1
9.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2448
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB RAM的比较
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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