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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
14.3
17.3
写入速度,GB/s
9.1
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2942
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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