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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
17.4
写入速度,GB/s
10.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3437
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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