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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
16.9
17.3
写入速度,GB/s
12.0
12.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2942
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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