RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
81
104
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1460
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link