Comparación de la memoria RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Puntuación global

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,404.5 1,190.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

59 104

En -76% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

786 406

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns