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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3477
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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