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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
3064
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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