RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
3064
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link