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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
3064
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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