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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Compara
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
42
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2348
1789
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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