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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
比较
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
40
读取速度,GB/s
13.5
12.3
写入速度,GB/s
8.7
8.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
1789
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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