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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
86
104
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
891.6
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
104
86
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
2,444.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
891.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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