Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

Puntuación global
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Puntuación global
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takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    86 left arrow 104
    En -21% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    891.6 left arrow 2,404.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    104 left arrow 86
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,192.0 left arrow 2,444.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,404.5 left arrow 891.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    786 left arrow 322
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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