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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
86
104
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
891.6
2,404.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
104
86
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
2,444.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
891.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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