RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2430
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link