RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2430
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link