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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

総合得点
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 48
    周辺 46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 11.6
    テスト平均値
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2270 left arrow 1804

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