PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Pontuação geral
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 48
    Por volta de 46% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 11.6
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 48
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 11.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.3 left arrow 8.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2270 left arrow 1804
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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