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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

総合得点
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

総合得点
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A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 7.3
    テスト平均値
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2270 left arrow 2070

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