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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
総合得点
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
総合得点
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
28
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
12.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
28
読み出し速度、GB/s
13.7
12.2
書き込み速度、GB/秒
8.3
7.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2270
2070
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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