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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Compara
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Puntuación global
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2270
2070
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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