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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2270
2070
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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