Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 30
    Rund um -7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.3 left arrow 5.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 12.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.6 left arrow 7.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1344 left arrow 2070
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