Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Intorno -7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.2 left arrow 8.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.3 left arrow 5.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.8 left arrow 12.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.6 left arrow 7.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1344 left arrow 2070
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