RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2070
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link