RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
48
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link