RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.9
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.9
5.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
48
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
8.9
Скорость записи, Гб/сек
5.6
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link