RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
21.0
Скорость записи, Гб/сек
5.6
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link