RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
25
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1344
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link