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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.9
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
48
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
5.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1344
1420
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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