RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2128
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link