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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
12.9
写入速度,GB/s
5.9
8.6
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2128
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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