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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
48
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2128
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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