RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
52
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
5.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
2472
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link