Confronto tra le RAM Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Punteggio complessivo

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 52

Intorno 44% latenza inferiore

Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 9.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.1 5.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1432 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns