RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
5.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
52
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
20.5
Скорость записи, Гб/сек
5.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1432
2472
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link