RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
52
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2472
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link