RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
52
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
16.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
52
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2472
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link