RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
64
Около -191% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3261
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link