Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,410.6 left arrow 13.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 61
    Около -97% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    61 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,230.0 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,410.6 left arrow 13.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    754 left arrow 3318
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения