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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
総合得点
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,410.6
13.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
61
周辺 -97% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
61
31
読み出し速度、GB/s
4,230.0
15.7
書き込み速度、GB/秒
2,410.6
13.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
754
3318
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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