RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparez
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Note globale
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
52
Autour de 44% latence réduite
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
5.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
52
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1432
2472
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link