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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB

Puntuación global
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Puntuación global
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A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB

A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 38
    En 24% menor latencia
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 9.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 5.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.4 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.1 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1432 left arrow 2031

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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