RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
68
77
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
68
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1904
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link