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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
1,937.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
77
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
77
52
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
4,539.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
1,937.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
5300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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