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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
1,937.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
77
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
77
52
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
4,539.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
1,937.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
5300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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